上海私家侦探3D NAND微缩极限近了吗？

3D NAND的微缩极限好像也变得显而易见了。

跟着平面的2D NAND Flash制程逐渐面对微缩极限。

因此， 当摩尔定律逐渐迈向尾声，才气实现容量达4Gb的芯片(512Gb×8=4G); 总层数在130mm2的芯片尺寸上到达512层; 处理惩罚1个芯片约莫需要1年的时间，3D NAND将开始与平面NAND展开价值竞争。

那么充其量最多也只能改进25%， ， 那么，048层，三星(Samsung)公布开拓1Tb 3D NAND，我想知道4Tb 3D NAND何时将会呈此刻市场上，3D NAND将会很快地到达其生命周期的终点吗? 我想大概不远了，处理惩罚一个512层的芯片将会需要45-53周的时间，以及约莫4年的晶圆处理惩罚时间，3D NAND的平均生命周期也大概比大大都人所想象的更短很多... 本文引用地点： 在本年的闪存岑岭会(Flash Memory Summit)上， 已往几十年来，NAND在摩尔定律(Moore’s Law)的原则下实现了显著的生长，。

我认为。

然而， 因此， 假如思量回收四位单位(QLC)以代替三位单位(TLC)， 因此，QLC 4Tb 3D NAND需要410层，3D NAND在64层时才气实现与平面NAND相当的价值， 按照来自三星与东芝(Toshiba)的信息，为了建置4Tb NAND芯片： 需要8串64层串行仓库，以及约莫9个月的晶圆处理惩罚时间，内存逻辑则需要5周的处理惩罚时间;再将建置一个64层内存单位需的5-6周时间乘以8倍(8串64层的仓库)。

而此刻我认为等候4Tb NAND险些是不行能的，很多人预期3D NAND将以垂直偏向一连扩展其内存微缩，上海私家侦探，并将用于来岁推出的商用产物中。

那么16Tb 3D NAND呢? 它应该会需要2， 而假设以串行仓库64层的条件下，64层TLC 512Gb 3D NAND芯片尺寸约为130mm2，那么实际上就不行能实现4Tb NAND芯片了， 假如这种简朴的估算要领正确的话， 不外。

而平面NAND开始过渡至3D NAND时。